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      功率器件應(yīng)如何選擇和校準(zhǔn)?

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      功率器件應(yīng)如何選擇和校準(zhǔn)?

      作為電源行業(yè)值得信賴的測(cè)試專家,泰克在電源設(shè)計(jì)的各個(gè)階段為工程師提供了可靠的解決方案,使工程師能夠確定設(shè)計(jì)的每個(gè)步驟并優(yōu)化設(shè)計(jì)的每個(gè)階段,從而加快新產(chǎn)品的發(fā)布周期。

      。

      無(wú)法準(zhǔn)確掌握市場(chǎng)上新推出的低功耗IC和功率器件的特性嗎?它在自己的電源設(shè)計(jì)中真的發(fā)揮了最大作用嗎?它缺乏一種簡(jiǎn)單而經(jīng)濟(jì)的評(píng)估方法。

      對(duì)于電源產(chǎn)品的設(shè)計(jì),大功率開(kāi)關(guān)的選擇非常關(guān)鍵且非常困難。

      如何在系統(tǒng)調(diào)試之前,特別是基于電橋拓?fù)涞幕A(chǔ)上,測(cè)試IGBT模塊的特性,在不同的負(fù)載條件下測(cè)試IGBT及其對(duì)應(yīng)二極管的特性?這些已成為工程師的頭疼問(wèn)題。

      功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)/雙脈沖測(cè)試諸如MOSFET和IGBT之類的功率器件提供了快速的開(kāi)關(guān)速度,可以承受不規(guī)則的電壓峰值,并被廣泛用于功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中。

      特別是,最新的第三代半導(dǎo)體SiC和GaN的快速開(kāi)發(fā)和應(yīng)用可以毫不夸張地為電源行業(yè)帶來(lái)顛覆性變化。

      對(duì)于設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō),這帶來(lái)了很大的測(cè)試挑戰(zhàn)。

      如何確保所選的高速功率設(shè)備在自己的功率產(chǎn)品中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。

      我們需要了解功率器件的動(dòng)態(tài)特性:不同溫度下的功率器件的短路特性,關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)特性和短路關(guān)斷特性,關(guān)斷時(shí)的過(guò)壓特性,二極管恢復(fù)特性,開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試,泰克推出了IGBT Town電源設(shè)備,以支持單脈沖,雙脈沖和多脈沖測(cè)試方案,集成的強(qiáng)大發(fā)生器,數(shù)據(jù)測(cè)試設(shè)備和軟件。

      用戶可以自定義測(cè)試條件,測(cè)試項(xiàng)目包括:Toff,td(off),tf(Ic),Eoff,Ton,td(on),tr(Ic),Eon,di / dt,dv / dt,Err,qrr,基于IEC60747的Irr。

      推薦的解決方案:MSO54 + 5勝+ 5-PWR + TIVM02 + TIVH08 + TCP0030A + IGBT鎮(zhèn)軟件。

      使用雙脈沖方法,使用信號(hào)發(fā)生器將脈沖寬度設(shè)置為1uS,將周期設(shè)置為2.5uS,并將脈沖數(shù)設(shè)置為2倍。

      示波器使用單個(gè)觸發(fā)器。

      可以使用MSO58功率器件分析功能直接獲得CoolGaN?的動(dòng)態(tài)參數(shù)。

      左下方的測(cè)試表明Ic off是因?yàn)橛w凌的CoolGaN?根本沒(méi)有反向恢復(fù)電流。

      從測(cè)試數(shù)據(jù)可以看出,基于英飛凌的CoolGaN?專用驅(qū)動(dòng)器1EDF5673K的CoolGaN?IGO60R070D1仍然非常快,并且完全沒(méi)有反向恢復(fù)損耗。

      從測(cè)試結(jié)果中可以看出該解決方案的特性:對(duì)IGBT和MOSFET(包括第三代半導(dǎo)體器件SiC和GaN)功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行可靠且可重復(fù)的測(cè)試;測(cè)得的特性包括導(dǎo)通,關(guān)斷,開(kāi)關(guān)切換,反向恢復(fù),電網(wǎng)驅(qū)動(dòng),開(kāi)關(guān)損耗和其他參數(shù);適合用戶定制測(cè)試環(huán)境;全部使用泰克示波器和原始功率探頭,它們可以準(zhǔn)確補(bǔ)償探頭延遲,專用的開(kāi)關(guān)損耗算法,并提供可靠的測(cè)試結(jié)果;獨(dú)特的IsoVu探頭,最高800MHz帶寬高達(dá)120dB的共模抑制比,它可以準(zhǔn)確地測(cè)試驅(qū)動(dòng)信號(hào)的真實(shí)情況。

      大功率半導(dǎo)體器件驗(yàn)證測(cè)試開(kāi)發(fā)和使用MOSFET,IGBT,二極管和其他大功率器件需要全面的器件級(jí)驗(yàn)證,例如擊穿電壓,導(dǎo)通電流和電容測(cè)量。

      吉時(shí)利大功率參數(shù)曲線跟蹤器支持所有設(shè)備類型和測(cè)試參數(shù)。

      吉時(shí)利大功率參數(shù)曲線跟蹤器包含驗(yàn)證工程師快速開(kāi)發(fā)全面測(cè)試系統(tǒng)所需的一切。

      ACS-Basic基本版本軟件提供完整的設(shè)備特性分析,包括實(shí)時(shí)跟蹤模式和所有參數(shù)模式。

      實(shí)時(shí)跟蹤模式用于快速檢查基本設(shè)備參數(shù),例如擊穿電壓;全參數(shù)模式用于提取準(zhǔn)確的設(shè)備參數(shù)。

      測(cè)試平臺(tái)的構(gòu)建吉時(shí)利提供從實(shí)驗(yàn)室到工廠,從晶圓級(jí)到單獨(dú)封裝的設(shè)備,從測(cè)試設(shè)置到分析結(jié)果的完整解決方案,并且是一種集成的完整解決方案,旨在實(shí)現(xiàn)最佳性價(jià)比。

      從實(shí)驗(yàn)室科研水平的單個(gè)SMU源表到適合驗(yàn)證大功率半導(dǎo)體器件的完整測(cè)試程序,再到自動(dòng)晶圓級(jí)測(cè)試系統(tǒng),吉時(shí)利可以為您提供最佳的完整解決方案pri








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