關(guān)于LED的一些特點(diǎn)？

LED顯示屏以及裝飾性LED燈和LED汽車(chē)燈是現(xiàn)代城市中最常見(jiàn)的顯示屏。

LED燈隨處可見(jiàn)，LED已融入生活的每個(gè)角落。

1.正向電壓降低，暗光A：一種是電極與發(fā)光材料歐姆接觸，但接觸電阻較大，這主要是由于材料基板濃度低或電極缺陷造成的。

。

B：一個(gè)是電極和材料處于非歐姆接觸，這主要發(fā)生在芯片電極的制備過(guò)程中電極的第一層蒸發(fā)以及擠壓或夾緊的位置時(shí)。

另外，在包裝過(guò)程中也可能降低前向壓力，這主要是由于銀膠的固化不足，支架或芯片電極的污染等導(dǎo)致高接觸電阻或不穩(wěn)定的接觸電阻。

在固定電壓下測(cè)試正向電壓降低的芯片時(shí)，流經(jīng)芯片的電流很小，因此會(huì)出現(xiàn)暗點(diǎn)。

還有一種暗光現(xiàn)象，即芯片本身的發(fā)光效率低，正向壓降正常。

2.難于壓焊：（主要包括不粘，電極脫落，刺穿電極）A：不粘：主要是由于電極表面上的氧化或膠粘所致B：與發(fā)光材料和金屬之間沒(méi)有牢固的接觸粗線層快，粗線層主要脫落。

C：穿刺電極：通常與芯片材料有關(guān)。

具有脆性和低強(qiáng)度的材料容易刺穿電極。

通常，GAALAS材料（例如高紅色，紅外芯片）比GAP材料更容易刺穿電極。

D：壓力焊接調(diào)試應(yīng)根據(jù)焊接溫度，超聲功率，超聲時(shí)間，壓力，金球尺寸，支架位置等進(jìn)行調(diào)整。

3.發(fā)光色差：A：同一芯片發(fā)光色的明顯差異主要是由于外延晶片的材料問(wèn)題。

ALGAINP四元素材料采用非常薄的量子結(jié)構(gòu)，因此難以確保每個(gè)區(qū)域中組成的一致性。

（成分決定帶隙，而帶隙決定波長(zhǎng)）。

B：GAP黃綠色芯片，發(fā)射波長(zhǎng)不會(huì)有大的偏差，但是由于人眼對(duì)該波段的顏色敏感，因此容易檢測(cè)淡黃色和綠色。

由于波長(zhǎng)是由外延晶片的材料決定的，因此面積越小，色偏的概念越小，因此在M / T操作中存在一種鄰居選擇方法。

C：GAP紅芯片的某些發(fā)光顏色是橙黃色。

4.晶閘管效應(yīng)；答：發(fā)光二極管不能在正常電壓下打開(kāi)。

當(dāng)電壓增加到一定水平時(shí)，電流會(huì)突然變化。

B：晶閘管現(xiàn)象是由發(fā)光材料外延晶片的生長(zhǎng)過(guò)程中的反向夾層引起的。

當(dāng)測(cè)試IF = 20MA時(shí)，具有這種現(xiàn)象的LED的正向壓降被隱藏。

使用過(guò)程是由于兩個(gè)電極之間的電壓不夠大這一事實(shí)。

，性能不是很亮，可以使用測(cè)試信息儀器查看晶體管圖形儀器的測(cè)試曲線，也可以通過(guò)小電流IF = 10UA下的正向壓降找出，小電流下的正向壓降為顯然太大，可能是由問(wèn)題引起的。

5.反向漏電：A：原因：外延材料，芯片生產(chǎn)，器件封裝，一般在5V下的反向漏電電流為10UA，并且反向電壓也可以在固定的反向電流下進(jìn)行測(cè)試。

B：不同類(lèi)型的LED的反向特性有很大不同：正常的綠色和正常的黃色芯片的反向擊穿電壓可以達(dá)到100伏以上，而正常的芯片則在10至20伏之間。

C：由外延引起的反向泄漏主要是由PN結(jié)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷引起的。

在芯片生產(chǎn)過(guò)程中，側(cè)面腐蝕不足或銀膠絲粘在測(cè)量表面上。

嚴(yán)禁將銀膠與有機(jī)溶液混合。

為了防止銀膠通過(guò)毛細(xì)現(xiàn)象爬升至接合處。

以上是LED技術(shù)的相關(guān)知識(shí)。

相信隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，未來(lái)的LED燈將越來(lái)越高效，使用壽命將大大提高，這將給我們帶來(lái)更多的便利。