512Kx16低壓超低功耗SRAM的主要特點是什么

IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，以512K字乘16位組織。

它是使用高性能CMOS技術制造的。

這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設計技術相結合，可以生產出高性能和低功耗的設備。

當CS1為高（取消選擇）或CS2為低（取消選擇）或CS1為低時，當CS2為高并且LB和UB均為高時，設備將進入待機模式。

在此模式下，可以通過CMOS輸入降低功耗水平。

使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。

激活的LOWWriteEnable（WE）控制內存的寫入和讀取。

數據字節(jié)允許高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）訪問。

IS62WV51216EBLL封裝在JEDEC標準的48引腳微型BGA（6mmx8mm），44引腳TSOP（II型）和48引腳TSOP（I型）中。

512Kx16低壓超低功耗SRAM的主要特點?高速訪問時間：45ns，55ns – 36mW（典型值）運行–1.65V–2.2VVDD（62 / 65WV51216EALL）–2.2V--3.6VVDD（62 / 65WV51216EBLL）?汽車溫度（-40oC至+ 125oC）廣泛的異步SRAM解決方案-提供x8，x16和x32配置-5V / 3.3V / 1.8VVDD電源-商業(yè)，工業(yè)和汽車溫度（-40°C至+ 125oC） 125°C）支持-BGA，SOJ，SOP，sTSOP，提供TSOP軟件包?ECC功能可用于高速異步SRAMfqj