三星Exynos 2100芯片：功耗將正確，性能得到改善！ ！

三星Exynos 2100芯片將是以下內(nèi)容的主要介紹對象。

通過這篇文章，編輯希望所有人都能了解和了解Samsung Exynos 2100芯片的相關(guān)情況和信息。

詳情如下。

Exynos 2100是三星首款基于5nm EUV工藝的集成5G移動(dòng)芯片組。

與使用7nm工藝的上一代產(chǎn)品相比，三星Exynos 2100芯片的功耗降低了20％，整體性能提高了10％。

三星Exynos 2100芯片具有8個(gè)CPU內(nèi)核，多核性能提高了33％，單核性能提高了19％，其中包括3個(gè)Arm Cortex-A78內(nèi)核，四個(gè)Arm Cortex-A55內(nèi)核以及一個(gè)Arm Cortex-X1超級內(nèi)核。

與三星Exynos 2100芯片中使用的CPU Exynos 1080的CPU內(nèi)核相比，Arm Cortex-X1尤其引人注目。

編輯者了解到，Cortex-X1的設(shè)計(jì)遵循ARM的新許可系統(tǒng)“ Cortex-X Custom Program”，該系統(tǒng)允許客戶在新微體系結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)階段盡早進(jìn)行協(xié)作并對其進(jìn)行高度定制。

根據(jù)一般理論，三星的Exynos 2100芯片的功耗將大大增加。

但是在三星的介紹中，三星Exynos 2100芯片配備了AMIGO的電源管理解決方案，可降低功耗，從而可以實(shí)時(shí)監(jiān)控每個(gè)進(jìn)程的功耗并優(yōu)化密集型執(zhí)行期間的總功耗圖形處理任務(wù)。

三星Exynos 2100芯片使用ARM的最新高性能Cortex-X1內(nèi)核（最大工作頻率為2.9GHz），3個(gè)A78內(nèi)核以及4個(gè)高效A55內(nèi)核。

根據(jù)三星的說法，與Exynos 990相比，三星Exynos 2100芯片的單核增加了19％，多核增加了33％，GPU增加了46％。

在5G連接方面，三星Exynos 2100芯片將是三星首款完全集成的5G芯片，支持5G Sub-6G和5G mmW毫米波，前者速度可以達(dá)到5.1Gbps，毫米波速度可以達(dá)到7.35Gbps ，4G網(wǎng)絡(luò)也可以達(dá)到3Gbps的性能。

三星Exynos 2100芯片已經(jīng)是5nm芯片，那么5nm的制造極限嗎？一點(diǎn)也不！目前，三星，臺(tái)積電等公司已經(jīng)在研究3nm芯片的制造工藝。

三星使用“ GAAFET”芯片。

架構(gòu)和業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，它可以更準(zhǔn)確地控制跨通道的電流，并有效減小芯片面積以降低功耗。

臺(tái)積電使用更成熟的“ FinFET”晶體管。

其3nm工藝的架構(gòu)。

到目前為止，有報(bào)道稱蘋果已經(jīng)占據(jù)了臺(tái)積電3nm工藝訂單的很大一部分，這意味著蘋果將成為臺(tái)積電3nm工藝的首批客戶之一。

如果3納米工藝推遲發(fā)貨，則5納米芯片將在市場上保留更長的時(shí)間。

三星和臺(tái)積電都有望在2022年量產(chǎn)3nm工藝芯片，但臺(tái)積電將在半年前出貨。

臺(tái)積電表示，與5nm芯片相比，3nm性能將提高約10-15％，并可節(jié)省20％-25％的能耗。

編輯認(rèn)為，明年或明年將實(shí)現(xiàn)3nm制程，而更先進(jìn)的SoC芯片將為我們提供更好的性能。

以上是編輯本次希望與您分享的有關(guān)三星Exynos 2100芯片的內(nèi)容。

希望大家對這次分享的內(nèi)容有一定的了解。

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